Jinghui Industry Ltd.
Silicon mesthi dadi bahan sing paling umum digunakake kanggo ngasilake Kripik semikonduktor, utamane amarga cadangan silikon gedhe, biaya kasebut kurang sithik, lan persiapan kasebut gampang. Nanging, aplikasi silikon ing bidang optoelectronics lan piranti bermektrik kanthi frekuensi dhuwur banget, lan kinerja operasi silikon ora cocog kanggo aplikasi sing dhuwur-voltase. Watesan kasebut wis tambah angel kanggo piranti listrik silicon kanggo nyukupi kebutuhan aplikasi sing berkembang kayata kinerja energi anyar lan rel kacepetan dhuwur kanggo kinerja dhuwur lan frekuensi dhuwur.
Ing konteks iki, karbida silikon wis mlebu ing sorotan kasebut. Dibandhingake karo bahan semikonduktor generasi pisanan lan kaloro, SIC duwe pirang-pirang sifat physicochemical sing apik, saliyane bandara band, uga duwe karakteristik listrik bandara, kecepatan antaran elektron sing dhuwur, kekarepan elektron termal, Kapadhetan elektron dhuwur lan mobilitas dhuwur. Bidang Kritis Breakdown SIC IS kaping 10 yaiku SI lan 5 kali saka Gaa, sing nambah kapasitas voltase tahan, lan kapadhetan piranti sing saiki, lan nyuda mundhut kerugian piranti. Gandheng karo konduktivitas termal sing luwih dhuwur tinimbang Cu, piranti kasebut ora mbutuhake piranti pembuahan panas tambahan kanggo digunakake, nyuda ukuran mesin sakabèhé. Kajaba iku, piranti SIC duwe kerugian konduksi sing sithik lan bisa njaga kinerja listrik sing apik ing frekuensi paling dhuwur. Contone, ngganti saka solusi telung tingkat adhedhasar piranti SI menyang solusi rong tingkat adhedhasar SIC bisa nambah efisiensi 97,6% lan nyuda panggunaan daya nganti 40%. Mula, piranti SIC duwe kaluwihan sing apik ing aplikasi murah lan dhuwur lan frekuensi tinggi.
Dibandhingake karo silikon tradisional, kinerja watesan silikon karbida luwih apik tinimbang silikon, sing bisa nyukupi kabutuhan aplikasi suhu suhu dhuwur, frekuensi tinggi, frekuensi dhuwur, kekuwatan dhuwur, lan karbida silikon saiki wis ditrapake RF Piranti lan Piranti Daya.
| B lan Gap / EV | Mobilitas elektron y (CM2 / vs) | Breakdo wn voltag e (Kv / mm) | Termal concuctivit y (W / mk) | Dielec tric constant | Suhu operasi maksimal teori (° C) | |
| Sic | 3.2 | 1000 | 2.8 | 4.9 | 9.7 | 600 |
| Gan | 3.42 | 2000 | 3.3 | 1.3 | 9.8 | 800 |
| Gaas | 1.42 | 8500 | 0,4 | 0,5 | 13.1 | 350 |
| Si | 1.12 | 600 | 0,4 | 1.5 | 11.9 | 175 |
Bahan karbida silikon bisa nggawe ukuran piranti luwih cilik lan luwih cilik, lan kinerja saya tambah apik lan luwih apik, nganti taun-taun pungkasan, produsen kendaraan listrik luwih seneng. Miturut Rohm, konverter 5kWW LLCDC / DC sing diganti karo silikon karbida tinimbang piranti Silicon, bobote saya suda saka 8755cc menyang 1350cC. Ukuran piranti SIC mung 1/10 saka piranti silikon saka spesifikasi sing padha, lan energi ilang sistem mosfet Si Carbit kurang saka 1/4 saka IgBT adhedhasar silikon, sing uga bisa nggawa dandan kinerja sing signifikan kanggo produk pungkasan.
LET'S GET IN TOUCH
Pernyataan Kebijakan: Privasi sampeyan penting banget kanggo kita. Perusahaan kita janji ora bakal ngandhani informasi pribadhi menyang ekspresi sing metu saka ijin nyata.
Isi informasi luwih lengkap supaya bisa ngubungi sampeyan kanthi luwih cepet
Pernyataan Kebijakan: Privasi sampeyan penting banget kanggo kita. Perusahaan kita janji ora bakal ngandhani informasi pribadhi menyang ekspresi sing metu saka ijin nyata.
